ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQAF40N25
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FQAF40N25 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FQAF40N25
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 12A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 108W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4000 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FQAF40N25
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQAF40N25 | FQAF7N90 | FQAF40N25 | FQAF19N60 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4000 pF @ 25 V | 2280 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 900 V | 250 V | 600 V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 12A, 10V | 1.55Ohm @ 2.6A, 10V | 70mOhm @ 12A, 10V | 380mOhm @ 5.6A, 10V |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 108W (Tc) | 107W (Tc) | 108W (Tc) | 120W (Tc) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 24A (Tc) | 5.2A (Tc) | 24A (Tc) | 11.2A (Tc) |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที