ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQB3P20TM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FQB3P20TM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FQB3P20TM
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK (TO-263) | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 250 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | P-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.8A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FQB3P20TM
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQB3P20TM | FQB3P20TM | FQB44N10TM | FQB3P50TM |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ประเภท FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) | 3.75W (Ta), 146W (Tc) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8 nC @ 10 V | 8 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 23 nC @ 10 V |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.8A (Tc) | 2.8A (Tc) | 43.5A (Tc) | 2.7A (Tc) |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | 2.7Ohm @ 1.4A, 10V | 39mOhm @ 21.75A, 10V | 4.9Ohm @ 1.35A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 250 pF @ 25 V | 250 pF @ 25 V | 1800 pF @ 25 V | 660 pF @ 25 V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 200 V | 200 V | 100 V | 500 V |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที