ต้องการราคาที่ดีกว่า?
[AddToCartTip]未找到翻译
จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ราคารวม |
---|---|---|
468+ | $0.64 | $299.52 |
ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQP3N90
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FQP3N90 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FQP3N90
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
ชุด | QFET® | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 910 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.6A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FQP3N90
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQP3N90 | FQP3N60 | FQP44N08 | FQP3N90 |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 910 pF @ 25 V | 450 pF @ 25 V | 1430 pF @ 25 V | 910 pF @ 25 V |
Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±30V | ±25V | ±30V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 900 V | 600 V | 80 V | 900 V |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.6A (Tc) | 3A (Tc) | 44A (Tc) | 3.6A (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | 75W (Tc) | 127W (Tc) | 130W (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V | 3.6Ohm @ 1.5A, 10V | 34mOhm @ 22A, 10V | 4.25Ohm @ 1.8A, 10V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V |
ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? [AddToCartTip]未找到翻译