ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี FQP4N80
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - FQP4N80 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - FQP4N80
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | QFET® | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 880 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.9A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor FQP4N80
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | FQP4N80 | FQP50N06 | FQP4N20L | FQP4N90C |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 5V, 10V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.95A, 10V | 22mOhm @ 25A, 10V | 1.35Ohm @ 1.9A, 10V | 4.2Ohm @ 2A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 880 pF @ 25 V | 1540 pF @ 25 V | 310 pF @ 25 V | 960 pF @ 25 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | ±25V | ±20V | ±30V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 800 V | 60 V | 200 V | 900 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3.9A (Tc) | 50A (Tc) | 3.8A (Tc) | 4A (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | 41 nC @ 10 V | 5.2 nC @ 5 V | 22 nC @ 10 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 130W (Tc) | 120W (Tc) | 45W (Tc) | 140W (Tc) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
FQP50N06onsemiMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3FQP4N20LonsemiMOSFET N-CH 200V 3.8A TO220-3FQP4N90ConsemiMOSFET N-CH 900V 4A TO220-3
FQP4N80CFairchild (onsemi)FQP4N65CFairchild (onsemi)FQP4N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3FQP4N20LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3FQP4N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3FQP4N60AJSMFQP4N80onsemiMOSFET N-CH 800V 3.9A TO220-3FQP4N60onsemiMOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3FQP4N90onsemiMOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3FQP4N50onsemiMOSFET N-CH 500V 3.4A TO220-3FQP4P40onsemiMOSFET P-CH 400V 3.5A TO220-3FQP4P25onsemiMOSFET P-CH 250V 4A TO220-3FQP4N25onsemiMOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3FQP4N60CFairchild (onsemi)FQP4N20L MOSFairchild (onsemi)| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที