ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี H11G1SR2VM
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - H11G1SR2VM คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - H11G1SR2VM
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 100V | |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.3V | |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 5µs, 100µs | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | |
| จำนวนช่อง | 1 | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทขาเข้า | DC | |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 1000% @ 10mA | |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 60 mA |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.49.8000 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor H11G1SR2VM
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | H11G1SR2VM | H11G1M | H11F3VM | H11G2M |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 6-SMD | 6-DIP | 6-DIP | 6-DIP |
| ประเภทขาเข้า | DC | DC | DC | DC |
| ชุด | - | - | - | - |
| จำนวนช่อง | 1 | 1 | 1 | 1 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 6-SMD, Gull Wing | 6-DIP (0.300', 7.62mm) | 6-DIP (0.300", 7.62mm) | 6-DIP (0.300', 7.62mm) |
| อัตราส่วนเงินโอน (ต่ำสุด) | 1000% @ 10mA | 1000% @ 10mA | - | 1000% @ 10mA |
| แรงดันไฟฟ้า - เอาท์พุท (สูงสุด) | 100V | 100V | 15V | 80V |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท) | 1.3V | 1.3V | 1.3V | 1.3V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C | -40°C ~ 100°C |
| เปิด / ปิดเครื่อง (Type) | 5µs, 100µs | - | 45µs, 45µs (Max) | 5µs, 100µs |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง | - | - | - | - |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) | 1V | 1V | - | 1V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก | 4170Vrms | 4170Vrms | 7500Vpk | 4170Vrms |
| ประเภทขาออก | Darlington with Base | Darlington with Base | MOSFET | Darlington with Base |
| อัตราส่วนเงินโอน (สูงสุด) | - | - | - | - |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด) | 60 mA | 60 mA | 60 mA | 60 mA |
H11G1MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIPH11F3VMFairchild SemiconductorFET OUTPUT OPTOCOUPLER, 7500V ISH11G2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
H11G1VMAMI Semiconductor/onsemiH11G1SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11G1300Fairchild SemiconductorDARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLERH11G2SonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11G1SMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11G2VMFairchild SemiconductorDARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER, 7H11G1300onsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIPH11F3SVMFairchild SemiconductorFET OUTPUT OPTOCOUPLER, 7500V ISH11G1SR2VMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11F3VMonsemiOPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIPH11G1SVMAMI Semiconductor/onsemiH11G2VMonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIPH11G2SDonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMDH11G2SR2MonsemiOPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMDH11G1SonsemiOPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที