ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HUF75631SK8T
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - HUF75631SK8T คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - HUF75631SK8T
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
ชุด | UltraFET™ | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 5.5A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1225 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 79 nC @ 20 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor HUF75631SK8T
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | HUF75631SK8T | HUF75631P3 | HUF75637S3S | HUF75631S3ST |
ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 5.5A (Ta) | 33A (Tc) | 44A (Tc) | 33A (Tc) |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 5.5A, 10V | 40mOhm @ 33A, 10V | 30mOhm @ 44A, 10V | 40mOhm @ 33A, 10V |
ชุด | UltraFET™ | UltraFET™ | UltraFET™ | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.5W (Ta) | 120W (Tc) | 155W (Tc) | 120W (Tc) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | TO-220-3 | D2PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 79 nC @ 20 V | 79 nC @ 20 V | 108 nC @ 20 V | 79 nC @ 20 V |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1225 pF @ 25 V | 1220 pF @ 25 V | 1700 pF @ 25 V | 1220 pF @ 25 V |
บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที