ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF710
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - IRF710 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - IRF710
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 36W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 135 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor IRF710
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF710 | IRF6893MTRPBF | IRF710 | IRF6892STRPBF |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | International Rectifier |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | DIRECTFET™ MX | TO-220AB | DIRECTFET™ S3C |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V | 1.6mOhm @ 29A, 10V | 3.6Ohm @ 1.2A, 10V | 1.7mOhm @ 28A, 10V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | 38 nC @ 4.5 V | 17 nC @ 10 V | 25 nC @ 4.5 V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 400 V | 25 V | 400 V | 25 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric MX | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric S3C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ชุด | - | HEXFET® | - | HEXFET® |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Bulk |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) | 36W (Tc) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2A (Tc) | 29A (Ta), 168A (Tc) | 2A (Tc) | 28A (Ta), 125A (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±16V | ±20V | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 135 pF @ 25 V | 3480 pF @ 13 V | 170 pF @ 25 V | 2510 pF @ 13 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 2.1V @ 100µA | 4V @ 250µA | 2.1V @ 50µA |
IRF6894MTRPBF MOSIRIRF6893MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFETIRF7101TRPBF MOSIRIRF7101 MOSIRIRF7101PBF MOSIRIRF710Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
IRF7101TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOICIRF7101PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF6892STRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF7101TRIRFIRF6811STRPBF MOSIRIRF7102Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOICIRF710Harris CorporationPFET, 2A I(D), 400V, 3.6OHM, 1-EIRF6898MTRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 40A/214A DIRECTIRF7101TR MOSIR
IRF710onsemiMOSFET N-CH 400V 2A TO220ABIRF6894MTRPBFInternational Rectifier25V 999A DIRECTFET-LVIRF7101IR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที