ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFM120A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - IRFM120A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - IRFM120A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.15A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 480 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.3A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor IRFM120A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFM120A | IRFL9110TRPBF | IRFM120ATF | IRFL9110PBF |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | onsemi | Vishay Siliconix |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 480 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 480 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 22 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| ชุด | - | - | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 2.4W (Ta) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) | 2.4W (Ta) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-223-4 | SOT-223 | SOT-223-4 | SOT-223 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 2.3A (Ta) | 1.1A (Tc) | 2.3A (Ta) | 1.1A (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 1.15A, 10V | 1.2Ohm @ 660mA, 10V | 200mOhm @ 1.15A, 10V | 1.2Ohm @ 660mA, 10V |
IRFM120ATF MOSFairchild (onsemi)IRFM110AFairchild (onsemi)IRFM054N/A
IRFM120A-NB82108AMI Semiconductor/onsemiIRFM210AFairchild (onsemi)IRFL9110TRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
IRFL9110TR-GE3Electro-Films (EFI) / VishayIRFM140IRIRFM120ATF-NLFairchild (onsemi)IRFM014AAMI Semiconductor/onsemiIRFM150IRIRFM210ATFFairchild (onsemi)IRFM120ATFonsemiMOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4IRFM110Fairchild (onsemi)IRFL9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223IRFM120A MOSFairchild (onsemi)IRFM014TF-NLFairchild (onsemi)IRFL9110TRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที