ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRFS634B
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - IRFS634B คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - IRFS634B
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.05A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 38W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1000 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.1A (Tj) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor IRFS634B
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRFS634B | IRFS630B | IRFS640A | IRFS630A |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 4.05A, 10V | - | 180mOhm @ 4.9A, 10V | 400mOhm @ 3.25A, 10V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V | - | ±30V | ±30V |
| ชุด | - | * | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 Full Pack | - | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | - | 200 V | 200 V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.1A (Tj) | - | 9.8A (Tc) | 6.5A (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 38W (Tc) | - | 43W (Tc) | 38W (Tc) |
| ประเภท FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 38 nC @ 10 V | - | 58 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1000 pF @ 25 V | - | 1500 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-3 | - | TO-220F | TO-220F |
IRFS630B MOSFairchild (onsemi)IRFS630BFairchild Semiconductor9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSFIRFS640AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS644BFairchild (onsemi)IRFS610BFairchild (onsemi)IRFS630AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
IRFS59N10DTRLPInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2IRFS59N10DTRRIRIRFS634B_FP001Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220FIRFS59N10DTRLIRIRFS630Fairchild (onsemi)IRFS640BFairchild (onsemi)IRFS59N10DTRRPBFIRIRFS640Fairchild (onsemi)IRFS654BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS634Fairchild (onsemi)
IRFS634B_FP001onsemiMOSFET N-CH 250V 8.1A TO220FIRFS634BTFairchild SemiconductorTRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที