ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี ISL9R860PF2
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - ISL9R860PF2 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - ISL9R860PF2
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.4 V @ 8 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-2L | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | Stealth™ | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor ISL9R860PF2
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | ISL9R860PF2 | ISL9R3060P2 | ISL9R860S3ST | ISL9R460PF2 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 30 ns | 45 ns | 30 ns | 22 ns |
| ชุด | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ | Stealth™ |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220F-2L | TO-220-2 | D²PAK (TO-263) | TO-220F-2L |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V | 100 µA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 2.4 V @ 8 A | 2.4 V @ 30 A | 2.4 V @ 8 A | 2.4 V @ 4 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8A | 30A | 8A | 4A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-2 Full Pack | TO-220-2 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-2 Full Pack |
ISL9R3060P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2ISL9V2040S3SonsemiIGBT 430V 10A 130W TO263AB
ISL9R860S3Fairchild (onsemi)ISL9R860S3STonsemiDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAKISL9R8120Fairchild (onsemi)
ISL9V2040D3STonsemiIGBT 430V 10A TO252AAISL9R3060P2/R3060P2Fairchild (onsemi)ISL9R460PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2LISL9V2040P3Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTISL9R3060G2-F085onsemiDIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2ISL9R860P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2ISL9V2040D3SFairchildISL9V2040D3STFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOISL9R8120P2onsemiDIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2LISL9R460PF2Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 4A TO220F-2L
ISL9V2040P3onsemiIGBT 430V 10A 130W TO220ABISL9R460P2onsemiDIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2ISL9R860PF2onsemiDIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที