ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NDP603AL
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - NDP603AL คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - NDP603AL
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 25A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100 pF @ 15 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor NDP603AL
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NDP603AL | NDP6030PL | NDP6030PL | NDP6060 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | 36 nC @ 5 V | 36 nC @ 5 V | 70 nC @ 10 V |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 50W (Tc) | 75W (Tc) | 75W (Tc) | 100W (Tc) |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±16V | ±16V | ±20V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1100 pF @ 15 V | 1570 pF @ 15 V | 1570 pF @ 15 V | 1800 pF @ 25 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 25A (Tc) | 30A (Tc) | 30A (Tc) | 48A (Tc) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 25A, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 25mOhm @ 19A, 10V | 25mOhm @ 24A, 10V |
NDP510ANSNDP6050LNSNDP6030LFairchild (onsemi)NDP5102SENDPNDP6030PLonsemiMOSFET P-CH 30V 30A TO220-3NDP6030PLFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 30V 30A TO220-3NDP6020P MOSNSNDP6050NSNDP6050 MOSNSNDP605BLVBSEMINDP6060onsemiMOSFET N-CH 60V 48A TO220-3NDP605ANSNDP603ALonsemiMOSFET N-CH 30V 25A TO220-3NDP6020PFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2NDP605BNSNDP6051NSNDP6020NSNDP6020PonsemiMOSFET P-CH 20V 24A TO220-3| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที