ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี NM34C02LMT8X
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - NM34C02LMT8X คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - NM34C02LMT8X
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | |
| เทคโนโลยี | EEPROM | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128 x 16 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | |
| ความถี่นาฬิกา | 400 kHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NM34C02 | |
| เวลาในการเข้าถึง | 900 ns |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor NM34C02LMT8X
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | NM34C02LMT8X | AT25320A-10TI-1.8 | IS43QR16512A-083TBLI | S29GL01GS11DHA023 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | Microchip Technology | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Infineon Technologies |
| เวลาในการเข้าถึง | 900 ns | - | 19 ns | 110 ns |
| เทคโนโลยี | EEPROM | EEPROM | SDRAM - DDR4 | FLASH - NOR |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | NM34C02 | AT25320 | IS43QR16512 | S29GL01 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 4.5V ~ 5.5V | 1.8V ~ 5.5V | 1.14V ~ 1.26V | 2.7V ~ 3.6V |
| ความถี่นาฬิกา | 400 kHz | 20 MHz | 1.2 GHz | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 96-TWBGA (10x14) | 64-FBGA (9x9) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173', 4.40mm Width) | 96-TFBGA | 64-LBGA |
| ขนาดหน่วยความจำ | 2Kbit | 32Kbit | 8Gbit | 1Gbit |
| องค์กรหน่วยความจำ | 128 x 16 | 4K x 8 | 512M x 16 | 128M x 8 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | I²C | SPI | Parallel | CFI |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Volatile | Non-Volatile |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 0°C ~ 70°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tray | Bulk |
| รูปแบบหน่วยความจำ | EEPROM | EEPROM | DRAM | FLASH |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 10ms | 5ms | 15ns | 60ns |
AT25320A-10TI-1.8Microchip TechnologyIC EEPROM 32KBIT SPI 8TSSOP
NM326ADANMINM326ADA BGANMIIS43QR16512A-083TBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGAS29GL01GS11DHA023Infineon TechnologiesIC FLASH 1GBIT CFI 64FBGA
SST39SF010A-70-4I-NHEMicrochip TechnologyIC FLASH 1MBIT PARALLEL 32PLCC
CY62138FV30LL-45ZXIInfineon TechnologiesIC SRAM 2MBIT PARALLEL 32TSOP I
NM34C02LM8XFairchild (onsemi)NM326AAANEWPORT
BR34E02FVT-WE2Rohm SemiconductorIC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPBNM325FBCNMNM325EBAMNI
GD25Q256EWIGRGigaDevice Semiconductor (HK) Limited256MBIT, 3.3V, WSON8 6*5MM, INDU
MTFC16GAKAEEF-O1 AITMicron Technology Inc.IC FLASH 128GBIT MMC 169TFBGANM320A-AANEWPORT24AA025-I/STMicrochip TechnologyIC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
MT53E512M64D4NW-046 IT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 432VFBGA
NAND512W3A2DN6EMicron Technology Inc.IC FLASH 512MBIT PARALLEL 48TSOP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที