ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี RGP10A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Fairchild Semiconductor - RGP10A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Fairchild Semiconductor - RGP10A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Fairchild (onsemi) | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 1 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 150 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Fairchild Semiconductor RGP10A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | RGP10A | RGP10A | RGP02-20E-E3/73 | RGP10D-E3/73 |
| ผู้ผลิต | Fairchild Semiconductor | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 150 ns | 150 ns | 300 ns | 150 ns |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.8 V @ 100 mA | 1.3 V @ 1 A |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 1A | 1A | 500mA | 1A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AL, DO-41, Axial |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-41 | DO-41 | DO-204AL (DO-41) | DO-204AL (DO-41) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V | 5 µA @ 2000 V | 5 µA @ 200 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 50 V | 2000 V | 200 V |
| ชุด | - | - | SUPERECTIFIER® | SUPERECTIFIER® |
RGP10AonsemiDIODE GEN PURP 50V 1A DO41RGP02-20E-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204ALRGP10D-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALRGP10DonsemiDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
RGP10DFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALRGP02-12E-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GP 1.2KV 500MA DO204ALRGP02-20E-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 2KV 500MA DO204ALRGP10GFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 1A DO41
RGP02-18EElectro-Films (EFI) / VishayRGP02-16Electro-Films (EFI) / VishayRGP10D-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALRGP10GonsemiDIODE GEN PURP 400V 1A DO41RGP02-12EElectro-Films (EFI) / VishayRGP02-20EElectro-Films (EFI) / VishayRGP10BonsemiDIODE GEN PURP 100V 1A DO41RGP02-20visRGP02-16EElectro-Films (EFI) / VishayRGP10BFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที