ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี A2T18H410-24SR6
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - A2T18H410-24SR6 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - A2T18H410-24SR6
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-1230-4LS2L | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 71W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-1230-4LS2L | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 17.4dB | |
| ความถี่ | 1.81GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 800 mA | |
| องค์ประกอบ | Dual | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | A2T18 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. A2T18H410-24SR6
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | A2T18H410-24SR6 | A2T21S260W12NR3 | A2T27S020GNR1 | A2T09D400-23NR6 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors / Freescale | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | 65V | 65 V | 70 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-1230-4LS2L | OM-880X-2L2L | TO-270BA | OM-1230-4L2S |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | - | Surface Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 800 mA | 1.6A | 185 mA | 1.2 A |
| ได้รับ | 17.4dB | 17.9dB | 21dB | 17.8dB |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| ความถี่ | 1.81GHz | 2.11GHz ~ 2.2GHz | 400MHz ~ 2.7GHz | 716MHz ~ 960MHz |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-1230-4LS2L | OM-880X-2L2L | TO-270-2 GULL | OM-1230-4L2S |
| องค์ประกอบ | Dual | - | - | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 71W | 218W | 20W | 400W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | A2T18 | - | A2T27 | A2T09 |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | 10µA | 10µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | 28V | 28 V | 28 V |
| เทคโนโลยี | LDMOS | - | LDMOS | LDMOS |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล A2T18H410-24SR6 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ A2T18H410-24SR6 - NXP USA Inc.
A2T21S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T27S020GNR1NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T09D400-23NR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T26H160-24SR3NXP SemiconductorsA2T26H160 - AIRFAST RF POWER LDMA2T18S165-12SR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
CPH3438-TL-EonsemiNCH 4V DRIVE SERIESA2T20H330W24SR6NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOSA2T18S162W31GSR3NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOSA2T21H360-24SR6NXP USA Inc.AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T07H310-24SR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 70V 880MHZ
BF256AonsemiJFET N-CH 30V 7MA TO92A2T18H100-25SR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZA2T18S262W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
BG5120KE6327Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETA2T18S260W12NR3NXP Semiconductors / FreescaleAIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOA2T23H300-24SR6NXP USA Inc.IC TRANS RF LDMOSA2T21H410-24SR6NXP Semiconductors / FreescaleIC TRANS RF LDMOS
A2T26H160-24SR3Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที