ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี AFT09S282NR3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - AFT09S282NR3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - AFT09S282NR3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 70 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | OM-780-2 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 80W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | OM-780-2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 20dB | |
| ความถี่ | 960MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 1.4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AFT09 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. AFT09S282NR3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | AFT09S282NR3 | AFT09MS007NT1 | AFT09MP055NR1 | AFT18P350-4S2LR6 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP Semiconductors | NXP USA Inc. |
| ความถี่ | 960MHz | 870MHz | 764MHz ~ 941MHz | 1.81GHz |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | OM-780-2 | PLD-1.5W | TO-270AB | NI-1230-4LS2L |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS (Dual) | LDMOS |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 80W | 7.3W | 57W | 63W |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | AFT09 | AFT09 | - | AFT18 |
| ชุด | - | - | - | - |
| ได้รับ | 20dB | 15.2dB | 15.7dB @ 870MHz | 16.1dB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | OM-780-2 | PLD-1.5W | TO-270 WB-4 | NI-1230-4LS2L |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 70 V | 30 V | 40 V | 65 V |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | 7.5 V | 12.5 V | 28 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 1.4 A | 100 mA | 550 mA | 1 A |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล AFT09S282NR3 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ AFT09S282NR3 - NXP USA Inc.
AFT18P380-24SFreescalAFT09MS007NT1NXP USA Inc.FET RF 30V 870MHZ PLD1.5WAFT09MP055NR1NXP SemiconductorsAFT09MP055N - Broadband RF PowerAFT09MS031GNR1NXP SemiconductorsAFT18H357-24SFreescale / NXP SemiconductorsAFT18P350-4S2LR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230AFT05MS031GNR1NXP USA Inc.FET RF 40V 520MHZ TO270-2GAFT09MS015NT1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 12.5V PLD1.5WAFT18P350-4S2Freescale / NXP SemiconductorsAFT18HW355SR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230S-4AFT05MS006NT1NXP USA Inc.FET RF 30V 520MHZ PLDAFT18H357-24NR6NXP SemiconductorsAFT05MS031NR1NXP USA Inc.FET RF 40V 520MHZ TO-270-2AFT18H357-24SR6NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS DL 28V NI1230-4AFT09MS031NR1NXP USA Inc.FET RF 40V 870MHZ TO-270-2AFT09S282SFreescale / NXP Semiconductors
AFT09MS015NT1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORAFT18H357-24NFREESCAL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที