ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MCZ33285EF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MCZ33285EF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MCZ33285EF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 7V ~ 40V | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | |
| ชุด | - | |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | |
| ความถี่ขาเข้า | 2 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.7V, 1.7V | |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MCZ33285 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MCZ33285EF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MCZ33285EF | MCZ33198EFR2 | MCZ33198EFR2 | MCZ33198EF |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 7V ~ 40V | 7V ~ 20V | 7V ~ 20V | 7V ~ 20V |
| การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน | High-Side | High-Side | High-Side | High-Side |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด) | Synchronous | Single | Single | Single |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-SOIC |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท) | - | 10µs, 280µs | 10µs, 280µs | 10µs, 280µs |
| ปัจจุบัน - Peak Output (แหล่งที่มา, Sink) | - | - | - | - |
| แรงดันลอจิก - VIL, VIH | 0.7V, 1.7V | 1.5V, 3.5V | 1.5V, 3.5V | 1.5V, 3.5V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MCZ33285 | MCZ33198 | MCZ33198 | MCZ33198 |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ประเภทประตู | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| ความถี่ขาเข้า | 2 | 1 | 1 | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 125°C (TA) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MCZ33285EF PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MCZ33285EF - NXP USA Inc.
MCZ33287EGR2NXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 20SOIC
MCZ33199EFNXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 14SOIC
MCZ33291EGR2NXP USA Inc.IC PWR SWITCH N-CHAN 1:8 24SOICMCZ33285FERRSCALMCZ33290EFR2NXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 8SOICMCZ33198FERRSCALMCZ33193EFFREESCALMCZ33199Freescale / NXP SemiconductorsMCZ33198EFR2Freescale SemiconductorBUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRIMCZ33290EFNXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 8SOICMCZ33198EFR2NXP USA Inc.IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICMCZ33198EFNXP USA Inc.IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICMCZ33291EGNXP USA Inc.IC PWR SWITCH N-CHAN 1:8 24SOICMCZ33285EFR2NXP USA Inc.IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICMCZ33287EGNXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 20SOICMCZ33199EFR2NXP USA Inc.IC INTERFACE SPECIALIZED 14SOICMCZ33193FERRSCALMCZ33290EF/R2Freescale / NXP Semiconductors| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที