ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MMRF5014HR5
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP Semiconductors - MMRF5014HR5 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP Semiconductors - MMRF5014HR5
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 125 V | |
| เทคโนโลยี | N-Channel | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-360H-2SB | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 125W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-360H-2SB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 18dB @ 2.5GHz | |
| ความถี่ | 1MHz ~ 2.7GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 5mA | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 350 mA | |
| องค์ประกอบ | N-Channel |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP Semiconductors MMRF5014HR5
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MMRF5014HR5 | BLC10G22XS-600AVTZ | BLF6G10LS-200RN | VMMK-1218-BLKG |
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | Ampleon USA Inc. | Ampleon USA Inc. | Broadcom Limited |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | 0.81dB |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 32 V | 28 V | 3 V |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 5mA | 2.8µA | 4.2µA | 100mA |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 350 mA | 1.15 A | 1.4 A | 20 mA |
| เทคโนโลยี | N-Channel | LDMOS | LDMOS | E-pHEMT |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-360H-2SB | SOT1258-4 | SOT502B | 0402 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-360H-2SB | SOT-1258-4 | SOT-502B | 0402 (1005 Metric) |
| ความถี่ | 1MHz ~ 2.7GHz | 2.11GHz ~ 2.17GHz | 700MHz ~ 1GHz | 10GHz |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | Chassis Mount | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 125 V | 65 V | 65 V | 5 V |
| องค์ประกอบ | N-Channel | Dual, Common Source | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tape & Reel (TR) | Strip |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 125W | 600W | 200W | 12dBm |
| ได้รับ | 18dB @ 2.5GHz | 15.4dB | 20dB | 9dB |
BLC10G22XS-600AVTZAmpleon USA Inc.BLC10G22XS-600AVT/SOT1258/TRAYDPBLF6G10LS-200RNAmpleon USA Inc.RF FET LDMOS 65V SOT539VMMK-1218-BLKGBroadcom LimitedFET RF 5V 10GHZ 0402ATF-521P8-TR1Broadcom LimitedFET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
AFT26H200W03SR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4
MRF6S21060NBR1Freescale SemiconductorRF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFEBLF8G19LS-170BVAmpleon USA Inc.RF FET LDMOS 170W SOT1120MMRF1315NR1NXP USA Inc.FET RF 66V 880MHZ TO270MRF9060LR1NXP USA Inc.FET RF 65V 945MHZ NI-360MRF8S19260HSR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8MRF8S21200HSR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HS
MCH6405-TL-EonsemiNCH 2.5V DRIVE SERIESMRF6S27050HR3NXP USA Inc.FET RF 68V 2.62GHZ NI-780MRF8S21200HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HMRF6S23140HSR3NXP USA Inc.FET RF 68V 2.39GHZ NI-880SMW6S010GNR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
MRF7S21170HR3NXP USA Inc.FET RF 65V 2.17GHZ NI-880MCH6423-TL-EonsemiNCH 4V DRIVE SERIES| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที