ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRF6V2010NR1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MRF6V2010NR1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MRF6V2010NR1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-270-2 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 10W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-270AA |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 23.9dB | |
| ความถี่ | 220MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 30 mA | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRF6 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MRF6V2010NR1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRF6V2010NR1 | MRF6V14300HR5 | MRF6V3090NR5 | MRF6V2150NBR5 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| ชุด | - | - | - | - |
| ความถี่ | 220MHz | 1.4GHz | 860MHz | 220MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | 100 V | 110 V | 110 V |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 10W | 330W | 18W | 150W |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-270AA | SOT-957A | TO-270AB | TO-272BB |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRF6 | MRF6V14300 | MRF6 | MRF6 |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ได้รับ | 23.9dB | 18dB | 22dB | 25dB |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-270-2 | NI-780H-2L | TO-270 WB-4 | TO-272 WB-4 |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 30 mA | 150 mA | 350 mA | 450 mA |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MRF6V2010NR1 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MRF6V2010NR1 - NXP USA Inc.
MRF6V13250HSR6FreescalMRF6V14300HR5NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V NI780HMRF6V3090NR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO270-4MRF6V2150NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO272-4
MRF6V2150NBR5Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-MRF6V3090NR1Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-MRF6V3090NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO272-4MRF6V3090NR1NXP SemiconductorsMRF6V3090N - BROADBAND RF POWERMRF6V12500HSR3NXP USA Inc.FET RF 110V 1.03GHZ NI780HSMRF6V13250HR5NXP USA Inc.FET RF 120V 1.3GHZ NI780MRF6V13250HR5Freescale SemiconductorRF L BAND, N-CHANNELMRF6V12250HR5NXP USA Inc.FET RF 100V 1.03GHZ NI-780MRF6V14300HSFreescale SemiconductorFET RF 100V 1.4GHZ NI780SMRF6V2010NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO-272-2MRF6V12500HR5NXP USA Inc.FET RF 110V 1.03GHZ NI-780HMRF6V3090NBR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4MRF6V14300HR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6V3090NBR1Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที