ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRF8P20160HR3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP USA Inc. - MRF8P20160HR3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP USA Inc. - MRF8P20160HR3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-780-4 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 37W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-780-4 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 16.5dB | |
| ความถี่ | 1.92GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 550 mA | |
| องค์ประกอบ | Dual | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRF8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP USA Inc. MRF8P20160HR3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRF8P20160HR3 | MRF8P20140WHSR3 | MRF8P20160HSR3 | MRF8P20161HSR3 |
| ผู้ผลิต | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | Freescale Semiconductor | Freescale Semiconductor |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-780-4 | NI-780S-4L | NI-780S-4 | NI-780S-4 |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 550 mA | 500 mA | 550 mA | 550 mA |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | 65 V | 65 V | 65 V |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| ชุด | - | - | - | - |
| ได้รับ | 16.5dB | 16dB | 16.5dB | 16.4dB |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-780-4 | NI-780S-4L | NI-780S-4 | NI-780S-4 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MRF8 | MRF8P20140 | MRF8 | MRF8 |
| องค์ประกอบ | Dual | Dual | Dual | Dual |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Surface Mount | - | - |
| ความถี่ | 1.92GHz | 1.88GHz ~ 1.91GHz | 1.92GHz | 1.92GHz |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 37W | 24W | 37W | 37W |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | 28 V | 28 V | 28 V |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MRF8P20160HR3 PDF และเอกสาร NXP USA Inc. สำหรับ MRF8P20160HR3 - NXP USA Inc.
MRF8P20140WHSFreescale / NXP SemiconductorsMRF89XAM9AMICROCIHIPMRF8P20140WHSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4MRF8P20160HSR3Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNELMRF8P20161HSR3Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
MRF89XAM9AT-I/RMMicrochip TechnologyRF TXRX MOD ISM<1GHZ TRC ANT SMDMRF8P23080HSR3Freescale SemiconductorRF POWER N-CHANNEL, MOSFETMRF8P18265HSFREESCAMRF8P20161HSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780SMRF8P20100HSR3NXP USA Inc.RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
MRF89XAT-I/MQMicrochip TechnologyIC RF TXRX ISM<1GHZ 32WFQFNMRF8P20100HSR3Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNELMRF8P20165WHR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4MRF8P20160HSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
MRF89XAM9A-I/RMMicrochip TechnologyRF TXRX MOD ISM<1GHZ TRACE ANTMRF8P23080HSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4MRF8P20165WHSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4MRF8P23080HSFreescale / NXP Semiconductors| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที