ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี STGWT20V60DF
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ NXP Semiconductors - STGWT20V60DF คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ NXP Semiconductors - STGWT20V60DF
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 20A | |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 20A, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 38ns/149ns | |
| การสลับพลังงาน | 200µJ (on), 130µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P-3 | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 116 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ NXP Semiconductors STGWT20V60DF
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | STGWT20V60DF | STGWT30HP65FB | STGWA75H65DFB2 | STGWT30H65FB |
| ผู้ผลิต | NXP Semiconductors | Nexperia USA Inc. | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| ประเภทขาเข้า | Standard | - | Standard | Standard |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.2V @ 15V, 20A | - | 2V @ 15V, 75A | 2V @ 15V, 30A |
| ประเภท IGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
| ชุด | - | - | HB2 | - |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | - | 650 V | 650 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3P-3 | - | TO-247 Long Leads | TO-3P |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | - | Through Hole | Through Hole |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 116 nC | - | 207 nC | 149 nC |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 167 W | - | 357 W | 260 W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-3P-3, SC-65-3 | - | TO-247-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ทดสอบสภาพ | 400V, 20A, 15V | - | 400V, 75A, 2.2Ohm, 15V | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 40 A | - | 115 A | 30 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 40 ns | - | 88 ns | - |
| การสลับพลังงาน | 200µJ (on), 130µJ (off) | - | 1.428mJ (on), 1.05mJ (off) | 151µJ (on), 293µJ (off) |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 38ns/149ns | - | 28ns/100ns | 37ns/146ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 80 A | - | 225 A | 120 A |
STGWA75M65DF2STMicroelectronicsSTGWT30HP65FBNexperia USA Inc.STGWT30HP65F - IGBT 30A (@100C)STGWA75H65DFB2STMicroelectronicsTRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7STGWT30H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 30A 260W TO3PLSTGWT20H60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO3PFSTGWT30HP65FBSTMicroelectronicsIGBT TRENCH 650V 60A TO3PSTGWT40H65DFBSTMicroelectronicsIGBT 650V 80A 283W TO3P-3LSTGWT20H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 40A 168W TO3PSTGWT20HP65FBSTMicroelectronicsIGBTSTGWF30NC60SSTMicroelectronicsIGBT 600V 35A 79W TO3PSTGWT28IH120DFSTMicroelectronicsSTGWT30V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 258W TO3P-3STGWT20V60DFSTMicroelectronicsIGBT 600V 40A 167W TO3P-3STGWA80H65DFBSTMicroelectronicsIGBT BIPO 650V 80A TO247-3STGWA80H65FBSTMicroelectronicsIGBT 650V 120A 469W TO247STGWT20IH125DFSTMicroelectronicsIGBT 1250V 40A 259W TO-3PSTGWT38IH130DSTMicroelectronicsIGBT 1300V 63A 250W TO3PSTGWT30H60DFBSTMicroelectronicsIGBT 600V 60A 260W TO3PL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที