ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRF6V3090NR1
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Freescale Semiconductor - MRF6V3090NR1 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Freescale Semiconductor - MRF6V3090NR1
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-270 WB-4 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 18W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-270AB |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ได้รับ | 22dB | |
| ความถี่ | 860MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 350 mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Freescale Semiconductor MRF6V3090NR1
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRF6V3090NR1 | MRF6VP121KHR5 | MRF6VP2600HR5 | MRF6V3090NR5 |
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 350 mA | 150 mA | 2.6 A | 350 mA |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-270 WB-4 | NI-1230 | NI-1230 | TO-270 WB-4 |
| ความถี่ | 860MHz | 1.03GHz | 225MHz | 860MHz |
| ได้รับ | 22dB | 20dB | 25dB | 22dB |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 50 V | 50 V | 50 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | - | Chassis Mount | Surface Mount |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | 110 V | 110 V | 110 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ชุด | - | - | - | - |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-270AB | NI-1230 | NI-1230 | TO-270AB |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 18W | 1000W | 125W | 18W |
MRF6VP121KHR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230HMRF6VP2600HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230MRF6V3090NR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO270-4MRF6VP11KHR5NXP USA Inc.RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6V2010NR1NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO270-2
MRF6VP121KHR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP2600HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230MRF6VP121KHR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230MRF6V2150NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO272-4MRF6VP2600HR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP11KHR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6V14300HSFreescale SemiconductorFET RF 100V 1.4GHZ NI780SMRF6V3090NR1NXP SemiconductorsMRF6V3090N - BROADBAND RF POWERMRF6V3090NBR1NXP USA Inc.RF MOSFET LDMOS 50V TO272-4MRF6V3090NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 860MHZ TO272-4MRF6V2150NBR5Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-MRF6V2010NBR5NXP USA Inc.FET RF 110V 220MHZ TO-272-2MRF6V3090NBR1Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที