ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRF6VP41KHR7
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Freescale Semiconductor - MRF6VP41KHR7 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Freescale Semiconductor - MRF6VP41KHR7
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-1230 | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 1000W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-1230 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 20dB | |
| ความถี่ | 450MHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 150 mA | |
| องค์ประกอบ | Dual |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Freescale Semiconductor MRF6VP41KHR7
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRF6VP41KHR7 | MRF6VP41KHR7 | MRF6VP2600HR6 | MRF7P20040HSR3 |
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | Freescale Semiconductor |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 150 mA | 150 mA | 2.6 A | 150 mA |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 1000W | 1000W | 125W | 10W |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| ชุด | - | - | - | - |
| ได้รับ | 20dB | 20dB | 25dB | 18.2dB |
| ความถี่ | 450MHz | 450MHz | 225MHz | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | - | - | - | 10µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-1230 | NI-1230 | NI-1230 | NI-780S-4 |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 110 V | 110 V | 110 V | 65 V |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 50 V | 50 V | 50 V | 32 V |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-1230 | NI-1230 | NI-1230 | NI-780S-4 |
| องค์ประกอบ | Dual | Dual | Dual | Dual |
MRF6VP41KHR7NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 450MHZ NI-1230MRF6VP2600HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230MRF754MOTOROLAMRF7P20040HSR3Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNELMRF7P20040HSR3NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4MRF6VP2600HR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP121KHR5Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORMRF6VP3450HR6Freescale SemiconductorRF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-MRF6VP3450HFreescale / NXP SemiconductorsMRF6VP2600HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230MRF7S18125AHSR5NXP USA Inc.FET RF 65V 1.88GHZ NI780SMRF6VP121KHR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230HMRF7S18170HFSLMRF6VP3450HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230MRF6VP3450HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230MRF7P20040HSFreescale / NXP SemiconductorsMRF6VP121KHR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230MRF6VP41KHSR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที