ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MRF8S21100HSR3
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Freescale Semiconductor - MRF8S21100HSR3 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Freescale Semiconductor - MRF8S21100HSR3
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | |
| เทคโนโลยี | LDMOS | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-780S | |
| ชุด | - | |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 24W | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-780S |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| ได้รับ | 18.3dB | |
| ความถี่ | 2.11GHz ~ 2.17GHz | |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 10µA | |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 700 mA |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Freescale Semiconductor MRF8S21100HSR3
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MRF8S21100HSR3 | MRF8S21200HR6 | MRF8S21200HR6 | MRF8S18260HSR6 |
| ผู้ผลิต | Freescale Semiconductor | Freescale Semiconductor | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | - | Chassis Mount | Chassis Mount |
| คะแนนปัจจุบัน (แอมป์) | 10µA | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | NI-780S | NI-1230 | NI-1230 | SOT-1110B |
| ได้รับ | 18.3dB | 18.1dB | 18.1dB | 17.9dB |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท | 24W | 48W | 48W | 74W |
| ปัจจุบัน - การทดสอบ | 700 mA | 1.4 A | 1.4 A | 1.6 A |
| ความถี่ | 2.11GHz ~ 2.17GHz | 2.14GHz | 2.14GHz | 1.81GHz |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ | 28 V | 28 V | 28 V | 30 V |
| เสียงรบกวนเต็มตัว | - | - | - | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | NI-780S | NI-1230 | NI-1230 | NI1230S-8 |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม | 65 V | 65 V | 65 V | 65 V |
| เทคโนโลยี | LDMOS | LDMOS | LDMOS | LDMOS |
MRF8S21200HR6Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNELMRF8S21200HR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230HMRF8S21140HFreescale / NXP SemiconductorsMRF8S18260HSR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230S-8MRF8S18260HR5NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8MRF8S21100HSR3NXP USA Inc.RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFEMRF8S21120HSR3NXP USA Inc.FET RF 65V 2.17GHZ NI780HSMRF8S18120HSR3NXP USA Inc.RF L BAND, N-CHANNEL POWER MOSFEMRF8S19260HSR6Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNELMRF8S19140HSR3NXP USA Inc.FET RF 65V 1.96GHZ NI780HSMRF8S18120HSR3Freescale SemiconductorRF L BAND, N-CHANNELMRF8S19260HSFreescale / NXP SemiconductorsMRF8S21120HSFreescale / NXP SemiconductorsMRF8S18260HSR6Freescale SemiconductorRF 2-ELEMENT, L BAND, N-CHANNELMRF8S19260HSR6NXP USA Inc.FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8MRF8S21140HSR3NXP USA Inc.FET RF 65V 2.14GHZ NI780SMRF8S21140HR3NXP USA Inc.FET RF 65V 2.14GHZ NI780MRF8S21120HSR3Freescale SemiconductorRF S BAND, N-CHANNEL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที