ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1188AR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1188AR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1188AR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 40 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1188AR |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1188AR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1188AR | 1N1187R | 1N1188RA | 1N1188R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1188AR | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 40 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A | 1.19 V @ 90 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 300 V | 400 V | 400 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 40A | 40A | 40A | 40A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 300 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 400 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1188AR PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1188AR - GeneSiC Semiconductor
1N1187RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 40A DO51N1188RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO51N1188RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 40A DO5
1N1189GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 35A DO51N1187RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 300V 35A DO51N1188GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 35A DO5
1N1189Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1189Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N1189ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 40A DO51N1188Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N1188AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 400V 40A DO51N1188ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 40A DO51N1188AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1188RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1188ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1187RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1188RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 35A DO5| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที