ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1204A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1204A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1204A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1204 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1204A
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1204A | 1N1204AR | 1N1205 | 1N1204A |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | 1.1 V @ 12 A | 1.2 V @ 30 A | 1.35 V @ 38 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 50 V | 10 µA @ 500 V | 5 µA @ 400 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-203AA (DO-4) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 400 V | 400 V | 500 V | 400 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1204 | 1N1204AR | 1N1205 | 1N1204 |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1204A PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1204A - GeneSiC Semiconductor
1N1204ARGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 400V 12A DO41N1205Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1204BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1204RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO41N1203Solid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1204Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1204ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 12A DO41N1203ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 300V 12A DO41N1203ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1203Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1205AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1204Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1205Solid State Inc.DIODE GEN PURP 500V 12A DO41N1203AMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที