ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N1206AR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N1206AR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N1206AR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1206AR |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N1206AR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N1206AR | 1N1206A | 1N1206A | 1N1206B |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| ชุด | - | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 12A | 12A | 12A | 12A |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 | DO-4 |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N1206AR | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 12 A | 1.35 V @ 38 A | 1.2 V @ 30 A | 1.2 V @ 30 A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N1206AR PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N1206AR - GeneSiC Semiconductor
1N1206AMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA1N1206ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206BSolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206CMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER
1N1206AGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 12A DO41N1206RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO41N1206BRMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1206BMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1205RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 12A DO41N1205RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N1205RASolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 12A DO41N1205RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 500V 12A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที