ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3879
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3879 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3879
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 6 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3879 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3879
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3879 | 1N3768R | 1N3879R | 1N3879 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3879 | 1N3768 | 1N3879 | 1N3879 |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns | - | 200 ns | 200 ns |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-203AB (DO-5) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | 35A | 6A | 6A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 50 V | 10 µA @ 1000 V | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 1000 V | 50 V | 50 V |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz | 115pF @ 10V, 1MHz |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 20 A | 1.4 V @ 20 A |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3879 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3879 - GeneSiC Semiconductor
1N3879JANTXMSC/STIGBT Module1N3768RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3879RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
1N3879RSolid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3768AMSCIGBT Module1N3879RJANTXMSC/STIGBT Module1N3879Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
1N3768RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N3768Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3879Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE
1N3821AAmphenol SSI Technologies1N3768Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5
1N3767GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 900V 35A DO51N3879MotorolaDIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA1N3768RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO51N3879JANMSC/STIGBT Module1N3768GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 35A DO51N3879RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที