ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N3881
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N3881 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N3881
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 6 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3881 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N3881
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N3881 | 1N3881R | 1N3880 | 1N3879R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 6A | 6A | 6A | 6A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 200 V | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 | DO-4 |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 115pF @ 10V, 1MHz | - | - |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 200 ns | 200 ns | 200 ns | 200 ns |
| ชุด | - | - | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N3881 | 1N3881 | 1N3880 | 1N3879R |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 200 V | 200 V | 100 V | 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 20 A | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 6 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N3881 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N3881 - GeneSiC Semiconductor
1N3880RAMSC/STIGBT Module1N3880RJANTXMSC/STIGBT Module1N3881RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3880GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 100V 6A DO41N3881JANMSC/STIGBT Module1N3879RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 6A DO41N3881JANTXMSC/STIGBT Module1N3880Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3879RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
1N3880Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3881Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3879RAMSC/STIGBT Module1N3881Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER1N3881MMSC/STIGBT Module1N3879RJANTXMSC/STIGBT Module1N3881RAMSC/STIGBT Module1N3881RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 200V 6A DO41N3881RSolid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที