ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 1N4595R
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - 1N4595R คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - 1N4595R
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 150 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -60°C ~ 200°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 4 mA @ 1200 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4595R |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor 1N4595R
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 1N4595R | 1N4594R | 1N4596 | 1N4595R |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Powerex Inc. |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1200 V | 1000 V | 1400 V | 1200 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-205AA (DO-8) | DO-8 | DO-8 | DO-205AA (DO-8) |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 150A | 150A | 150A | 150A |
| ชุด | - | - | - | - |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 4 mA @ 1200 V | 50 µA @ 1000 V | 50 µA @ 1400 V | 4 mA @ 1200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -60°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -60°C ~ 200°C |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | 1N4595R | - | - | 1N4595 |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud | DO-205AA, DO-8, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.5 V @ 150 A | 1.1 V @ 200 A | 1.1 V @ 200 A | - |
| เทคโนโลยี | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard | Standard, Reverse Polarity |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล 1N4595R PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ 1N4595R - GeneSiC Semiconductor
1N4594RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 150A DO81N4596Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO81N4595RPowerex Inc.DIODE GP REV 1.2KV 150A DO205AA
1N4594RGeneSiC SemiconductorDIODE GP REV 1KV 150A DO205AA
1N4594RAMicrosemiIGBT Module1N4595GeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.2KV 150A DO205AA1N4595Powerex Inc.DIODE GP 1.2KV 150A DO205AA1N4595RAMicrosemiIGBT Module
1N4595Microchip TechnologyDIODE GP 1.2KV 150A DO205AA1N4594RBMicrosemiIGBT Module1N4595RSolid State Inc.DIODE GP REV 1.2KV 150A DO81N4596Microchip TechnologyDIODE GP 1.4KV 150A DO205AA1N4595Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO81N4595RBMicrosemiIGBT Module1N4594RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1KV 150A DO205AA1N4596GeneSiC SemiconductorDIODE GP 1.4KV 150A DO205AA1N4596Powerex Inc.DIODE GP 1.4KV 150A DO205AA1N4595RMicrochip TechnologyDIODE GP REV 1.2KV 150A DO205AA| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที