ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBJ20J
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBJ20J คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBJ20J
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ20 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBJ20J
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBJ20J | GBJ2506 | GBJ2010-F | GBJ20J |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | SURGE |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBJ20 | GBJ2506 | GBJ2010 | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBJ | GBJ | GBJ | GBJ(5S) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, KBJ |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 10 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 10 A | 1 V @ 10 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 1 kV | 600 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 20 A | 25 A | 20 A | 3.5 A |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bag |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBJ20J PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBJ20J - GeneSiC Semiconductor
GBJ2506Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJGBJ2010-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJGBJ20JSURGE20A -600V - GBJ(5S) - BRIDGE
GBJ2506-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJGBJ2506-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJ
GBJ2008Yangjie Technology6KBJ 800V 20.0A Diodes BridgeGBJ2504-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A GBJ
GBJ2506SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJGBJ2008-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
GBJ2506-02-FDiodes IncorporatedGBJ2010Yangjie Technology6KBJ 1000V 20.0A Diodes BridgeGBJ25005-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A GBJ
GBJ2506Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 25A 6KBJGBJ2010SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJGBJ2010Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJGBJ2502-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 200V 25A GBJGBJ2008SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 20A GBJ
GBJ208Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 2A 2KBJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที