ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GBU10K
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - GBU10K คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - GBU10K
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 10 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU10 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor GBU10K
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GBU10K | GBU10K | GBU1010 | GBU10M |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Diotec Semiconductor | MDD | GeneSiC Semiconductor |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 10 A | 1 V @ 5 A | 1 V @ 5 A | 1.1 V @ 10 A |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GBU10 | - | - | GBU10 |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Bulk |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 10 A | 7 A | 10 A | 10 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 800 V | 1 kV | 1 kV |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | GBU | GBU | GBU | GBU |
| ชุด | - | - | GBU | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GBU10K PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ GBU10K - GeneSiC Semiconductor
GBU10KDiotec Semiconductor1PH BRIDGE GBU 800V 10AGBU1010MDDBridge Rectifier GBU 1KV 10AGBU10M_B0_100A2PANJITGBU10MGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBUGBU1008LHYGBU10K-E-47L-TGULF
GBU10V08LITEON
GBU1502SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBU
GBU10M-BPMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
GBU1008Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBUGBU1010Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBUGBU10MDiotec Semiconductor1PH BRIDGE GBU 1000V 10AGBU1008-TULITEONGBU1010SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 10A GBU
GBU1010HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBU1506Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 15A GBUGBU1506SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A GBUGBU1008ULZOWIE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที