ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBJ406G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - KBJ406G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - KBJ406G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 4 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBJ406 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor KBJ406G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBJ406G | KBJ406G | KBJ604G | KBJ4005G |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | 4 A | 6 A | 4 A |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBJ406 | KBJ406 | KBJ604 | KBJ4005 |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 400 V | 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, KBJ | 4-SIP, KBJ |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 50 V |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBJ | KBJ | KBJ | KBJ |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 3 A | 1.1 V @ 4 A |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBJ406G PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ KBJ406G - GeneSiC Semiconductor
KBJ406GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A KBJKBJ2510PANJITKBJ604GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBJKBJ2010_B0_10001PANJITKBJ4005GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJ
KBJ406G-PDiodes IncorporatedKBJ4KVN/AKBJ2510_B0_10001-PECPANJITKBJ608GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBJKBJ4005GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBJKBJ2008_B0_10001PANJITKBJ2506SEP
KBJ608G_HFLITEON
KBJ608Yangjie Technology4KBJ 800V 6.0A Diodes Bridge RKBJ406Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 4A 4KBJKBJ601GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBJKBJ610GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBJKBJ606GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBJ| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที