ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBP206G
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - KBP206G คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - KBP206G
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP206 |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.10.0080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor KBP206G
| คุณสมบัติสินค้า |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBP206G | KBP208 | KBP204G | KBP206 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Diotec Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 2 A | 2 A | 1.2 A | 2 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP | 4-SIP, KBP |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 2 A | 1.05 V @ 1 A | 1.1 V @ 2 A | 1.05 V @ 1 A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Box | Box | Box |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 800 V | 400 V | 600 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBP | KBP | KBP | KBP |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBP206 | - | KBP204 | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBP206G PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ KBP206G - GeneSiC Semiconductor
KBP205GTaiwan SemiconductorKBP208Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 2A KBP
KBP206GLLinear Technology / Analog DevicesKBP204GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 400V 2AKBP206Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 2A KBPKBP204GGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
KBP206EIC SEMICONDUCTOR INC.STD 2A, CASE TYPE: KBP
KBP206GeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPKBP207G C2GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBPKBP206GDiotec Semiconductor1PH BRIDGE KBP 600V 2A
KBP206GL-TULITEON
KBP206GDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPKBP206-HBHBKBP206G C2Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBP
KBP206GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A KBPKBP206_B0_10001-PECPANJITKBP204GSMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A KBP
KBP206GDI-NDDiodes Incorporated| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที