ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี KBU8K
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - KBU8K คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - KBU8K
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBU | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBU |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8 A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBU8 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor KBU8K
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | KBU8K | KBU8J | KBU610 | KBU8M-E4/51 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 800 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 8 A | 8 A | 6 A | 8 A |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | 4-ESIP, KBU | 4-SIP, KBU |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 8 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 800 V | 600 V | 1 kV | 1 kV |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | KBU8 | KBU8 | - | KBU8 |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | KBU | KBU | KBU | KBU |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล KBU8K PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ KBU8K - GeneSiC Semiconductor
KBU8JGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBUKBU610Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 6A KBUKBU8M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBUKBU8K-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
KBU6G-10C-1-LFDIODEKBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A KBUKBU8KFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODEKBU6A-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBUKBU6K-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
KBU808Yangjie TechnologyKBU 800V 8.0A Diodes Bridge ReKBU803GWKBU608Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 6A KBUKBU607KBUKBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A KBUKBU8KonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBUKBU8JonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBUKBU810G-B-00-00SEPKBU8G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที