ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR60030CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR60030CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR60030CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 300 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 300A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR60030 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR60030CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR60030CT | MBR60035CT | MBR60100PT | MBR60100CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Taiwan Semiconductor Corporation | SMC Diode Solutions |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | TO-247AD (TO-3P) | TO-220AB |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 30 V | 35 V | 100 V | 100 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 750 mV @ 300 A | 750 mV @ 300 A | 980 mV @ 60 A | 900 mV @ 30 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | TO-247-3 | TO-220-3 |
| ชุด | - | - | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 20 V | 1 mA @ 100 V | 1 mA @ 100 V |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR60030 | MBR60035 | MBR60100 | MBR60100 |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 300A | 300A | 60A | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR60030CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR60030CT - GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
MBR5H150VPC-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR580PANJIT
MBR5H100MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFNMBR60100PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247MBR5H150VPTR-E1Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 150V 5A DO201MBR60100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5MBR5H200SSPANJITMBR5H100MFSAMI Semiconductor/onsemiMBR60100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR600100CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
MBR60100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR600200CTGeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWERMBR560PANJITMBR60045CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 45V 300A 2TOWERMBR560MFST1GonsemiDIODE SCHOTTKY 60V 5A 5DFNMBR60060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 300A 2TOWERMBR601200CTIXFNIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที