ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR6020
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR6020 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR6020
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | เป็นไปตาม RoHS |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | 1 (Unlimited) |
| เข้าถึงสถานะ | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR6020
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR6020 | MBR6035 | MBR6035 | MBR6030 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | GeneSiC Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | - | -65°C ~ 150°C |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 60A | 60A | 60A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 5 mA @ 20 V | - | 5 mA @ 20 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | DO-5 | DO-5 | DO-5 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 650 mV @ 60 A | 650 mV @ 60 A | - | 650 mV @ 60 A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 20 V | 35 V | 35 V | 30 V |
| ชุด | - | - | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR6020 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR6020 - GeneSiC Semiconductor
MBR6035GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 60A DO5MBR6015MOTOROLAIGBT ModuleMBR6015LMOTOROLAIGBT ModuleMBR6035Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 35V 60A DO5
MBR6030PTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO3P
MBR60100PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO247MBR601200CTIXFNIGBT ModuleMBR6030GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 60A DO5MBR60060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 300A 2TOWERMBR6040GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 60A DO5
MBR60200PTAMI Semiconductor/onsemi
MBR60100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR60100GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 100V 60A DO5MBR60150PTPANJITMBR6040CTTaiwan Semiconductor
MBR60100CT-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR6025LMOTOROLAIGBT ModuleMBR6025MOTOROLAIGBT Module| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที