ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MBR6080
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MBR6080 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MBR6080
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 60 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | |
| เทคโนโลยี | Schottky | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR6080 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MBR6080
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MBR6080 | MBR6045WT | MBR6060 | MBR6045WTG |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Littelfuse Inc. | GeneSiC Semiconductor | onsemi |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Through Hole | Chassis, Stud Mount | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V | 5 mA @ 20 V | 1 mA @ 45 V |
| ชุด | - | MBR | - | SWITCHMODE™ |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-247-3 | DO-203AB, DO-5, Stud | TO-247-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 840 mV @ 60 A | 650 mV @ 30 A | 750 mV @ 60 A | 620 mV @ 30 A |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | DO-5 | TO-247AD | DO-5 | TO-247-3 |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 80 V | 45 V | 60 V | 45 V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 60A | 30A | 60A | - |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MBR6080 | - | MBR6060 | MBR6045 |
| เทคโนโลยี | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | 1400pF @ 5V, 1MHz | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MBR6080 PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MBR6080 - GeneSiC Semiconductor
MBR6045WTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247MBR60L45WTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247MBR6535MOTOROLAIGBT Module
MBR60L45CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB
MBR6045WTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247ADMBR6045WTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO247ADMBR6080PTPANJITMBR640TMOTOROLA
MBR6045PTWLITEON
MBR6060PTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 60V 60A TO247ADMBR60H100AMI Semiconductor/onsemiMBR60H100CTGonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR60L45WTGMotorolaRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 1 PHA
MBR6045WTPBFElectro-Films (EFI) / VishayMBR60H100CTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR6045WTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY SCHOTTKY 45VTO247ACMBR6060GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 60A DO5MBR6045WTonsemiDIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที