ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR10010CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MUR10010CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 50 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR10010 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MUR10010CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR10010CT | MUR1020CT | MUR10005CT | MUR10020CT |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ชุด | - | FRED Pt® | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 50 A | 990 mV @ 5 A | 1.3 V @ 50 A | 1.3 V @ 50 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 35 ns | 75 ns | 75 ns |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 50A | 5A | 50A | 50A |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 10 µA @ 200 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | TO-220-3 | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 100 V | 200 V | 50 V | 200 V |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | TO-220-3 | Twin Tower | Twin Tower |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | MUR10010 | MUR1020 | - | MUR10020 |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR10010CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MUR10010CT - GeneSiC Semiconductor
MUR1010FCTMicro Commercial Components (MCC)MUR1020Yangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MUR10060MOTOROLAIGBT ModuleMUR1020CTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ARRAY GP 200V 5A TO220ABMUR100-6MOTOROLAMUR10005MOTOROLAIGBT ModuleMUR10040MOTOROLAIGBT ModuleMUR10005CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 50V 50A 2TOWERMUR10020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 50A 2TOWERMUR10100SIRECTMUR10020MOTOROLAIGBT Module
MUR10100CTAMI Semiconductor/onsemiMUR10020CT MUR20020CTMOTOROLAIGBT ModuleMUR10010MOTOROLAIGBT ModuleMUR1020CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MUR10120EAMI Semiconductor/onsemiMUR10040CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 400V 50A 2TOWERMUR10060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 600V 50A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที