ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี MUR20005CT
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - MUR20005CT คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - MUR20005CT
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 100 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor MUR20005CT
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | MUR20005CT | MUR20020CT | MUR20010CT | MUR20020CTR |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) (ต่อ Diode) | 100A | 100A | 100A | 100A |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V | 25 µA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 50 V | 200 V | 100 V | 200 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| ชุด | - | - | - | - |
| การกำหนดค่าไดโอด | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Anode |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ความเร็ว | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower | Twin Tower |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.3 V @ 100 A | 1.3 V @ 100 A | 1.3 V @ 100 A | 1.3 V @ 100 A |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 75 ns | 75 ns | 75 ns | 75 ns |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล MUR20005CT PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ MUR20005CT - GeneSiC Semiconductor
MUR20040AMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMUR180AMI Semiconductor/onsemi
MUR180ERLonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIALMUR20020CTLAMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMUR1660FCTYangjie TechnologyITO-220AB 600V 16A Diodes RectMUR20020AMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMUR180EGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIALMUR20010AMI Semiconductor/onsemiIGBT ModuleMUR1660GAMI Semiconductor/onsemiMUR180EonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIALMUR200120CTIXFNIGBT ModuleMUR180ERLGonsemiDIODE GEN PURP 800V 1A AXIALMUR20030CTMOTOROLAIGBT ModuleMUR1660CTSIRMUR20020CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 2TOWERMUR20010CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 100V 100A 2TOWERMUR1660FYangjie TechnologyITO-220AC 600V 16A Diodes RectMUR20020CTRGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 200V 100A 2TOWER| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที