ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี S25M
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GeneSiC Semiconductor - S25M คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GeneSiC Semiconductor - S25M
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| ชุด | - |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GeneSiC Semiconductor S25M
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | S25M | S25FS512SAGBHI210 | S25FS512SAGMFI011 | S25FS256SDSNFI003 |
| ผู้ผลิต | GeneSiC Semiconductor | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ชุด | - | FS-S | FS-S | FS-S |
| ประเภทการติดตั้ง | Chassis, Stud Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 25A | - | - | - |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.1 V @ 25 A | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 10 µA @ 50 V | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | DO-203AA, DO-4, Stud | 24-TBGA | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 8-WDFN Exposed Pad |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tray | Tube | Tape & Reel (TR) |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด) | 1000 V | - | - | - |
| ความเร็ว | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | - | 24-BGA (8x6) | 16-SOIC | 8-WSON (6x8) |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction | -65°C ~ 175°C | - | - | - |
| เทคโนโลยี | Standard | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล S25M PDF และเอกสาร GeneSiC Semiconductor สำหรับ S25M - GeneSiC Semiconductor
S25FS512SAGBHI210Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAS25FS512SAGMFI011Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOICS25FS256SDSNFI003Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSONS25FS512SDSBHV213Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAS25FS512SFABHB210Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAS25FS512SDSBHB213Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAS25SC6MSHINDENGENS25HL02GTDPBHV050Infineon TechnologiesIC FLASH 2GBIT SPI/DUAL 24BGAS25VB100WS25FS512SDSBHB210Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGAS25FS512SDSMFB010Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOICS25VB80DACOIGBT ModuleS25FS256SDSMFI001Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
S25FS512SDSBHI210Infineon TechnologiesFLASH MEMORY
S25VB100Yangjie TechnologyDiodes - Bridge Rectifiers S25VB
S25P100D15YTamuraSENSOR CURRENT HALL 100A AC/DCS25FS256SDSNFI001Infineon TechnologiesIC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSONS25FS512SAGNFI011Infineon TechnologiesIC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที