ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี GD25LE32DLIGR
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LE32DLIGR คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - GD25LE32DLIGR
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | GigaDevice | |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 2.4ms | |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.65V ~ 2V | |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 21-WLCSP | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 21-XFBGA, WLSCP | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Mbit | |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 8 | |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | |
| ความถี่นาฬิกา | 120 MHz | |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25LE32 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32DLIGR
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | GD25LE32DLIGR | GD25LE128DLIGR | GD25LD20CEIGR | GD25LD40CEIGR |
| ผู้ผลิต | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ขนาดหน่วยความจำ | 32Mbit | 128Mbit | 2Mbit | 4Mbit |
| อินเตอร์เฟซหน่วยความจำ | SPI - Quad I/O | SPI - Quad I/O | SPI - Dual I/O | SPI - Dual I/O |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 21-XFBGA, WLSCP | 21-XFBGA, WLSCP | 8-XFDFN Exposed Pad | 8-XFDFN Exposed Pad |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภทหน่วยความจำ | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile | Non-Volatile |
| หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน | GD25LE32 | GD25LE128 | GD25LD20 | GD25LD40 |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน | 1.65V ~ 2V | 1.65V ~ 2V | 1.65V ~ 2V | 1.65V ~ 2V |
| เขียนวัฏจักรเวลา - คำ, หน้า | 2.4ms | 2.4ms | 97µs, 6ms | 97µs, 6ms |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 21-WLCSP | 21-WLCSP | 8-USON (2x3) | 8-USON (2x3) |
| องค์กรหน่วยความจำ | 4M x 8 | 16M x 8 | 256K x 8 | 512K x 8 |
| เทคโนโลยี | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| ความถี่นาฬิกา | 120 MHz | 120 MHz | 50 MHz | 50 MHz |
| รูปแบบหน่วยความจำ | FLASH | FLASH | FLASH | FLASH |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล GD25LE32DLIGR PDF และเอกสาร GigaDevice Semiconductor (HK) Limited สำหรับ GD25LE32DLIGR - GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25LE128DLIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 128MBIT SPI/QUAD 21WLCSPGD25LD20CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 2MBIT SPI/DUAL I/O 8USONGD25LQ128CIMGRGDGD25LD40CEIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLSH 4MBIT SPI/DUAL I/O 8USONGD25LB64CVIGGDGD25LD10CTIGGIGADEVICGD25LE128DSIGGIGADEVICGD25LH16NIGRGDGD25LQ128CSIGRGDGD25LH40CUIGRGigaDeviceGD25LE64ENIGRGDGD25LE128ELIGR-STGigaDeviceGD25LH80BMIGRGigaDeviceGD25LE80CTIGGIGADEVIC
GD25LD80CTIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 8MBIT SPI/DUAL I/O 8SOPGD25LD40CTIGGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 4MBIT SPI/DUAL I/O 8SOPGD25LH80BMIGR-ASGIGADEVICSGD25LE64CLIGRGigaDevice Semiconductor (HK) LimitedIC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 21WLCSP| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที