ต้องการราคาที่ดีกว่า?
โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที
จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ราคารวม |
---|---|---|
3000+ | $0.084 | $252.00 |
15000+ | $0.078 | $1,170.00 |
30000+ | $0.07 | $2,100.00 |
51000+ | $0.065 | $3,315.00 |
ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี G1003A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Goford Semiconductor - G1003A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Goford Semiconductor - G1003A
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
ผู้ผลิต | Goford Semiconductor | |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | |
ชุด | - | |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 3A, 10V | |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 5W (Tc) | |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
---|---|---|
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 622 pF @ 25 V | |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | |
ประเภท FET | N-Channel | |
คุณสมบัติ FET | - | |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Goford Semiconductor G1003A
คุณสมบัติสินค้า | ||||
---|---|---|---|---|
รุ่นผลิตภัณฑ์ | G1003A | G1003B | G1002L | G1005A |
ผู้ผลิต | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 5W (Tc) | 3.3W | 1.3W | - |
ชุด | - | - | - | - |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 3A, 10V | 130mOhm @ 1A, 10V | 250mOhm @ 2A, 10V | - |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | - |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Tc) | 3A | 2A | - |
ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 622 pF @ 25 V | 760 pF @ 50 V | 413 pF @ 50 V | - |
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - |
คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | - | - |
เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | SOT-23-3L | SOT-23-3L | - |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 18.2 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 10 nC @ 10 V | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล G1003A PDF และเอกสาร Goford Semiconductor สำหรับ G1003A - Goford Semiconductor
การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
---|---|---|
ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
บราซิล | 7 | |
ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
ประเทศอังกฤษ | 4 | |
อิตาลี | 5 | |
มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
นิวซีแลนด์ | 5 | |
เอเชีย | อินเดีย | 4 |
ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
---|---|
ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที