ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี G2003A
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Goford Semiconductor - G2003A คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Goford Semiconductor - G2003A
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Goford Semiconductor | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | |
| ชุด | G | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 580 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 190 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Goford Semiconductor G2003A
| คุณสมบัติสินค้า | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | G2003A | G2002A | G20100CF5 | G2002RV1U |
| ผู้ผลิต | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor | LITEON | GMT |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 3A (Ta) | 2A (Tc) | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ชุด | G | G | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | SOT-23-3 | SOT-23-6L | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-6 | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 190 V | 200 V | - | - |
| ประเภทการติดตั้ง | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2A, 10V | 540mOhm @ 1A, 10V | - | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 1.8W (Ta) | 2.5W (Tc) | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 580 pF @ 25 V | 733 pF @ 100 V | - | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 12 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | - | - |
ดาวน์โหลดแผ่นข้อมูล G2003A PDF และเอกสาร Goford Semiconductor สำหรับ G2003A - Goford Semiconductor
G20100CF5LITEONG2002RV1UGMTG2009RZ1UGMTG200-350-B3NVIDIAG201-1JAUOG201-1DAUOG200-105-B3NVIDIAG200-103-B2NVIDIAG2001RG2UGTM
G2006RSTMicroelectronicsIGBT ModuleG2003RB1UGMTG200-103-B3NVIDIAG20100CF5A-F5LITEONG2007RG1UGMTG2002BRV1UGMTG20100CTFWLITEONG200-352-B3NVIDIAG2002AGoford SemiconductorN200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที