ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HGTP7N60B3D
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HGTP7N60B3D คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HGTP7N60B3D
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 7A | |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/130ns | |
| การสลับพลังงาน | 160µJ (on), 120µJ (off) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 37 ns | |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 60 W |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทขาเข้า | Standard | |
| ประเภท IGBT | - | |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 37 nC | |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 14 A |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HGTP7N60B3D
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HGTP7N60B3D | HGTP7N60A4 | HGTP3N60A4 | HGTP7N60A4D |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทขาเข้า | Standard | Standard | Standard | Standard |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์ | 60 W | 125 W | 70 W | 125 W |
| ชุด | - | - | - | - |
| ประเภท IGBT | - | - | - | - |
| การสลับพลังงาน | 160µJ (on), 120µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | 55µJ (on), 60µJ (off) |
| ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) | 37 ns | - | - | 34 ns |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| ทดสอบสภาพ | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | 390V, 7A, 25Ohm, 15V |
| ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM) | 56 A | 56 A | 40 A | 56 A |
| Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C | 26ns/130ns | 11ns/100ns | 6ns/73ns | 11ns/100ns |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด) | 14 A | 34 A | 17 A | 34 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี | 2.1V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 3A | 2.7V @ 15V, 7A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ค่าใช้จ่ายประตู | 37 nC | 37 nC | 21 nC | 37 nC |
HGTP7N60A4Fairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP3N60A4onsemiIGBT 600V 17A 70W TO220ABHGTP7N60A4DonsemiIGBT 600V 34A 125W TO220ABHGTP7N60C3DonsemiIGBT 600V 14A 60W TO220ABHGTP7N60A4 G7N60A4Fairchild (onsemi)HGTP3N60A4Harris CorporationN-CHANNEL IGBTHGTP7N60B3DonsemiIGBT 600V 14A 60W TO220ABHGTP7N60A4onsemiIGBT 600V 34A TO220-3HGTP3N60A4DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP7N60B3DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP5N120BNDonsemiIGBT 1200V 21A 167W TO220ABHGTP3N60A4,G3N60A4Fairchild (onsemi)HGTP7N60BHGTP7N60C3DHarris CorporationIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL, TO-2HGTP3N60A4DonsemiIGBT 600V 17A 70W TO220ABHGTP6N50E1DFairchild (onsemi)HGTP7N60C3DFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTP3N60A4 3N60A4FSC| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที