ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี HRF3205
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - HRF3205 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - HRF3205
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 59A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 175W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4000 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation HRF3205
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | HRF3205 | HRF3205 | HRF3205 | HRF-SW1031-FL |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi | Honeywell Sensing and Productivity Solutions |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| ชุด | - | - | - | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 59A, 10V | 8mOhm @ 59A, 10V | 8mOhm @ 59A, 10V | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 175W (Tc) | 175W (Tc) | 175W (Tc) | - |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | - |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | - | 10V | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 4000 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 55 V | 55 V | 55 V | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | - |
HRF-SW1031-FLHoneywell Sensing and Productivity SolutionsHRF302ATRHITACHIHRF5216CHR
HRF502ATLRenesas Electronics CorporationHRF-AT4610-TRHoneywell Sensing and Productivity SolutionsHRF3205AFairchild (onsemi)HRF3205Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3HRF-AT4521-GRHoneywell Sensing and Productivity SolutionsHRF22TRHITACHIHRF32TRHITACHI
HRF3205SIntersil (Renesas Electronics Corporation)HRF503ATRHITACHIHRF-AT4611-AUHoneywell Sensing and Productivity SolutionsHRF-AT4610-GRHoneywell Sensing and Productivity SolutionsHRF3205onsemiMOSFET N-CH 55V 100A TO220-3HRF1620CHRHRF-SW1001Honeywell Sensing and Productivity SolutionsHRF32ACRAPFEL| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที