ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี 4GBJ406
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ HY Electronic (Cayman) Limited - 4GBJ406 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ HY Electronic (Cayman) Limited - 4GBJ406
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | HY Electronic (Cayman) Limited | |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 4 A | |
| เทคโนโลยี | Standard | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4GBJ | |
| ชุด | - | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A |
| คุณลักษณะ | ลักษณะ |
|---|---|
| สถานภาพ RoHS | |
| ระดับความไวต่อความชื้น (MSL) | Vendor Undefined |
| เข้าถึงสถานะ | REACH Affected |
| ECCN | |
| HTSUS | 8541.50.0000 |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ HY Electronic (Cayman) Limited 4GBJ406
| คุณสมบัติสินค้า |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | 4GBJ406 | GBL04-E3/51 | DF005M | GBU401 |
| ผู้ผลิต | HY Electronic (Cayman) Limited | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ) | 4 A | 3 A | 1.5 A | 4 A |
| ชุด | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 50 V |
| แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด) | 600 V | 400 V | 50 V | 50 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| เทคโนโลยี | Standard | Standard | Standard | Standard |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก | 1.05 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 4 A |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBL | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) | 4-ESIP, GBU |
| ประเภทไดโอด | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | 4GBJ | GBL | 4-DIP | GBU |
4GBL06IORGBL04-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBLDF005MonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 50V 1.5A 4DIPGBU401Taiwan Semiconductor CorporationDIODE BRIDGE 4A 50V GBU4GBJ1010COMON
RABS15M REGTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A ABS-L
MSD52-08Microsemi CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 800V 50A SM2
GBPC3501WFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
GBU6MDiotec SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4.2A GBU4GBL02IR
VBO52-08NO7IXYSBRIDGE RECT 1P 800V 52A PWS-D
MYS250Diotec Semiconductor1PH BRIDGE MICRODIL 600V 0.5A
FUS45-0045BIXYSBRIDGE RECT 3P 45V 45A I4-PAC4GBJ408HY4GBU12IR
GSIB15A80-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 800V 3.5A GSIB-5SLVB2560-M3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 25A GSIB-5S
M5060TB600Sensata-CrydomBRIDGE RECT 3P 600V 60A MODULE| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? โปรด เพิ่มลงในรถเข็น เราจะติดต่อคุณทันที