ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF244
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF244 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF244
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.8A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF244
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF244 | IRF250P224 | IRF230 | IRF250P225 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Infineon Technologies | Harris Corporation | Infineon Technologies |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 270µA | 4V @ 250µA | 4V @ 270µA |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-204AA, TO-3 | TO-247-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-247-3 |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 8.8A (Tc) | 96A (Tc) | 9A (Tc) | 69A (Tc) |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 125W (Tc) | 313W (Tc) | 75W (Tc) | 313W (Tc) |
| ชุด | - | StrongIRFET™ | - | StrongIRFET™ |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | 203 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V | 96 nC @ 10 V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V | 12mOhm @ 58A, 10V | 400mOhm @ 5A, 10V | 22mOhm @ 41A, 10V |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 250 V | 250 V | 200 V | 250 V |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 1300 pF @ 25 V | 9915 pF @ 50 V | 600 pF @ 25 V | 4897 pF @ 50 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-3 | TO-247AC | TO-3 | TO-247AC |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | - | 10V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tube | Bag | Tube |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
IRF2804L MOSIRIRF2804LIRIRF2204S MOSIRIRF250P224Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 96A TO247ACIRF222IRIRF252IRIRF23N20DPBFIRIRF230Harris CorporationMOSFET N-CH 200V 9A TO3IRF2301SIRIRF250P225Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 69A TO247AC
IRF2204SPBFInternational RectifierIRF2204 - POWER FIELD-EFFECT TRAIRF222GE/RCAIRIRF250IR
IRF2804Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF250P225 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF2307DIRIRF240IRIGBT ModuleIRF224International RectifierN-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที