ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF520
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Motorola - IRF520 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Motorola - IRF520
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Motorola | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.6A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 350 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.2A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Motorola IRF520
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF520 | IRF520 | IRF520 | IRF520 |
| ผู้ผลิต | Motorola | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | onsemi |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 5.6A, 10V | 270mOhm @ 5.5A, 10V | 270mOhm @ 5.5A, 10V | 270mOhm @ 5.6A, 10V |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 9.2A (Tc) | 9.2A (Tc) | 9.2A (Tc) | 9.2A (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ชุด | - | - | - | - |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) | 60W (Tc) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 350 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
IRF520Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF520Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220ABIRF513PBFVBsemiIRF520ASECIRF520NSTRPBFIRIRF520NS MOSIRIRF520onsemiMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
IRF520NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKIRF520NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAKIRF520NSPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
IRF520NInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABIRF510STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 5.6A TO263IRF520NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO220ABIRF511IRIRF511SIR
IRF520NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.7A TO262IRF513VBsemi| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที