ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF530
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF530 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF530
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF530
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF530 | IRF5305LPBF | IRF523 | IRF530 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Infineon Technologies | Harris Corporation | Vishay Siliconix |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 800 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 75W (Tc) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) | 60W (Tc) | 88W (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 8A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 55 V | 80 V | 100 V |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| บรรจุุภัณฑ์ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | TO-262 | TO-220 | TO-220AB |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 14A (Tc) | 31A (Tc) | 8A (Tc) | 14A (Tc) |
| ชุด | - | HEXFET® | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ประเภท FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
IRF5305S F5305SIRIRF5305LPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO262IRF5305IRIRF523Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF522Fairchild (onsemi)IRF5305S/F5305SIRIRF5305SIRIRF530Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF5210STRLIR
IRF530onsemiMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF5305S MOSIR
IRF530STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO220ABIRF5210STRPBFIR
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A D2PAKIRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKIRF5210SRLPBFTRIRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAK| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที