ข้อกำหนดด้านเทคโนโลยี IRF532
ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิคของ Harris Corporation - IRF532 คุณลักษณะพารามิเตอร์และชิ้นส่วนที่มีข้อกำหนดที่คล้ายกันกับ Harris Corporation - IRF532
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | |
| ชุด | - | |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 8.3A, 10V | |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 79W (Tc) | |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk |
| คุณสมบัติสินค้า | ค่าคุณสมบัติ | |
|---|---|---|
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 25 V | |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| ประเภท FET | N-Channel | |
| คุณสมบัติ FET | - | |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) |
3 ส่วนด้านขวามีขนาดที่คล้ายกับ Harris Corporation IRF532
| คุณสมบัติสินค้า | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| รุ่นผลิตภัณฑ์ | IRF532 | IRF530STRRPBF | IRF530STRLPBF | IRF540 |
| ผู้ผลิต | Harris Corporation | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ | TO-220AB | D²PAK (TO-263) | D²PAK (TO-263) | TO-220AB |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 8.3A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 77mOhm @ 17A, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 72 nC @ 10 V |
| ประเภทการติดตั้ง | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| เทคโนโลยี | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| บรรจุุภัณฑ์ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds | 600 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 1700 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด) | 79W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | 150W (Tc) |
| ชุด | - | - | - | - |
| คุณสมบัติ FET | - | - | - | - |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส | 12A (Tc) | 14A (Tc) | 14A (Tc) | 28A (Tc) |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ประเภท FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์ | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
IRF530STRPBFIRIRF533IRF530STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO263IRF530STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A D2PAKIRF540Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
IRF540STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 22A TO220ABIRF540APBFVBSEMIIRF531SEC
IRF540AonsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
IRF540onsemiMOSFET N-CH 100V 28A TO220ABIRF540NIRIRF530STRLPBF MOSIRIRF530SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A TO263IRF540A MOSIRIRF530SVishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A D2PAKIRF540FIVBSEMIIRF530S MOSIRIRF530SPBF MOSIR| การอ้างอิงเวลาโลจิสติกส์ประเทศทั่วไป | ||
|---|---|---|
| ภูมิภาค | ประเทศ | เวลาโลจิสติก (วัน) |
| อเมริกา | สหรัฐ | 5 |
| บราซิล | 7 | |
| ยุโรป | ประเทศเยอรมนี | 5 |
| ประเทศอังกฤษ | 4 | |
| อิตาลี | 5 | |
| มหาสมุทร | ออสเตรเลีย | 6 |
| นิวซีแลนด์ | 5 | |
| เอเชีย | อินเดีย | 4 |
| ประเทศญี่ปุ่น | 4 | |
| ตะวันออกกลาง | ประเทศอิสราเอล | 6 |
| อ้างอิงค่าธรรมเนียมการจัดส่ง DHL & FedEx | |
|---|---|
| ค่าจัดส่ง (กก.) | DHL อ้างอิง (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
ต้องการราคาที่ดีกว่า? เพิ่มลงใน CART และ ส่ง RFQ ตอนนี้เราจะติดต่อคุณทันที